20 августа, в первый день форума разработчиков Intel Developer Forum в Сан-Франциско подразделение корпорации по производству устройств флэш-памяти по технологии NAND объявило планы выпуска высокопроизводительных твердотельных накопителей с интерфейсом SATA, предназначенных для использования в различных типах цифровой техники - от портативных компьютеров до рабочих станций, серверов и систем хранения данных.

В течение ближайшего месяца потребителям станут доступны накопители X18-M и X25-M, предназначенные для использования в персональных компьютерах, как стационарных, так и переносных. Буква M обозначает mainstream ("массовое использование"), цифры — формфактор диска, соответствующий размеру стандартных накопителей на магнитных дисках диаметром 1,8 и 2,5 дюйма. В дисках использована технология флэш-памяти на основе многоуровневых ячеек (MultiLevel Cell, MLC). Вначале будут выпущены диски емкостью 80 Гбайт. Начало массового выпуска 160-гигабайтной модификации запланировано на первый квартал 2009 года. Максимальная скорость чтения - 250 Мбайт/с, записи - 70 Мбайт/с; задержка при чтении составляет 85 мкс. Прирост производительности по сравнению с магнитными дисками составляет на разных приложениях от полутора до двух раз.

Для серверов, систем хранения данных и рабочих станций в течение ближайших трех месяцев будут выпущены диски X25-E (буква E означает Extreme), в которых использована технология одноуровневых ячеек (Single Level Cell, SLC). Эти диски характеризуются высокой пропускной способностью, что позволяет значительно снизить их количество в системах, где ввод/вывод осуществляется с высокой нагрузкой. В Intel заявляют, что при использовании таких дисков “удельная плотность” операций ввода/вывода повышается в 50 раз. Емкость X25-E составляет 32 Гбайт, максимальная скорость чтения - 250 Мбайт/с, максимальная скорость записи - 170 Мбайт/с, количество операций ввода/вывода в секунду составляет 35 тыс. при чтении и 3,3 тыс. при записи (оба показателя приведены для 4-килобайтных блоков). Задержка при чтении составляет 75 мкс. Ожидается также 64-гигабайтная модификация диска.

Во всех дисках применяется технология равномерного распределения использования ячеек Advanced Dynamic Wear Leveling, что повышает их надежность и долговечность. Время наработки на отказ дисков серии M составляет 1,2 млн часов, серии E — 2 млн часов. Устойчивость к удару составляет для обоих типов дисков 1000G. Энергопотребление серии E — 2,4 Вт в активном режиме и 0,06 Вт в режиме простоя, диски серии M потребляют в активном режиме всего 0,15 Вт. Intel заявляет, что их использование в портативных компьютерах позволяет продлить время автономной работы на срок до 30 минут.